哈希游戏:美光 232 层 NAND 正式量产出货,相较竞品 TLC NAND 储存密度高出 35% 以上

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现在基于 NAND 的固态硬碟技术已是各类数据密集型应用主流级的储存技术,为了满足各类应用, NAND 颗粒技术也持续推陈出新;美光今日宣布开始量产全球第一款 232 层 NAND 颗粒,具备全球密度最高的储存密度,除了进一步提升容量,也带来更好的能源效率,满足自终端装置自云端资料中心等需求。

美光 232 层 NAND 已于新加坡晶圆厂量产,优先以封装颗粒与透过美光 Crucial SSD 消费性产品系列向客户出货。

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▲美光 232 层 NAND 进一步提升单位储存密度,并且更为省电与快速

此次公布的 232 层 NAND 是以美光 176 层 NAND 技术的设计改进,也是证实美光具备将 NAND 提升至 200 层以上的能力的象征,其密度高达每平方公厘 1.46Gb ,相较业界 TLC 竞品高出 35% 至 100% 的密度,封装尺寸也比美光前几代缩减 28% ,能进一步减少主板空间并在更小空间提供更大容量。

美光 232 层 NAND 提供 2.4GB/s 的 I/O 速度,并具备低延迟、高吞吐量的优点,相对美光 176 层的介面数据传输提升 50% ,每晶粒写入频宽提升 100% ,同时读取频宽也提升 75% 。

美光在 232 层 NAND 首度采用六平面( 6-Plane ) TLC 生产型 NAND ,为目前具备最多平面的 TLC 快闪记忆体;同时亦为首款在生产中支援 NV-LPDDR4 产品,以低电压介面特性,对比过去 I/O 介面的美位元传输可省下 30% 能耗,同时也相容旧款控制器与系统。

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